Descrizione
Design SMD
Tensiunea de rupere U(BR) (DSS): 50 V
R(DS)(on): 3,5
I(d): 220 mA
Curent de referință R(DS)(on): 130 mA
C(ISS): 27 pF
Putere: 0,36 W
Tensiunea de referință C(ISS): 25 V
Tipul tranzistorului: tranzistor MOSFET
Tip tranzistor: N-canal
Diodă: DA
Interval de temperatură: -55 până la 150 °C
Montare: SMD
Preț pentru 1 bucată, în role de 3000 de bucăți
Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.