Descrizione
Diseño SMD
Tensión de ruptura U(BR) (DSS): 50 V
R(DS)(on): 10
I(d): 130 mA
U(GS)(th) corriente de referencia máxima: 1 mA
Corriente de referencia R(DS)(on): 130 mA
C(ISS): 45 pF
U(DSS): 50 V
U(GS)(th) máx: 2 V
Potencia: 0,36 W
Tensión de referencia C(ISS): 25 V
Tipo de transistor: transistor MOSFET
Tipo de transistor: canal P
Rango de temperatura: de -40 a 150 °C
Montaje: SMD
Precio por 1 pieza, en rollos de 3000 piezas





Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.